长鑫科技于2026年第三季度发布了财务报告，并在10月31日下午召开了投资者关系活动，详细记录了业绩说明会的内容。此次会议主要围绕市场关注的多个问题，特别是4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构的技术进展进行了回应。
首先，长鑫科技宣布在4F²架构上取得了关键性突破，该架构在单位面积内的晶体管数量较当前主流的6F²架构有所增加，并在一定程度上规避了生产工艺的瓶颈。公司还透露，其第六代工艺技术平台将基于这一新架构，该技术平台的工程样片验证已完成。此外，4F²架构通过优化存储单元的布局，缩小了存储单元面积，并提高了单位面积的存储密度。相关的首代产品计划于今年年底送样，规模化生产将依据客户的验证进度及市场需求而推进。
其次，长鑫科技发布4F²架构的消息后引发了业内的广泛讨论。其中，美光科技总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer近期表示，美光将继续沿用6F²路径并计划开发3D DRAM，拒绝4F²架构的原因在于其复杂性和成本的上升。美光经过20年的研究认为，4F²这一方向缺乏可行的微缩路径及实质性收益。DeBoer指出，影响位密度理论极限的关键因素在于电容间距、电容尺寸以及相关尺寸参数。这些观点与长鑫科技对于“位密度不仅取决于架构，还受电容间距影响”的回应产生了明显的对比。 球友会
长鑫科技表示，DRAM位密度的提升是一个复杂的系统工程，涉及字线、位线及电容结构等多重空间因素的协同优化。这些因素直接导致不同架构在工艺集成复杂度、光刻次数及热预算等方面呈现不同的成本效益曲线。此外，长鑫科技还提到，存储厂商基于其历史技术积累、现有产线配置及资本开支结构，作出差异化战略选择的做法应当被理解和尊重。
关于4F²等新技术的经济效益，长鑫科技指出，前瞻性技术及新产品的投资不会在短期内完全转化为当前利润，而是构筑中长期的竞争力。财务数据显示，长鑫科技在第三季度实现了1187.14亿元的营收，同比增长613.18%，净利润达544.35亿元。然而，净利润环比仅增长3.01%，增速显著放缓。对此，长鑫科技分析认为，这主要是由于对控股子公司持有权益的比例相对较低，长鑫新桥及长鑫集电在第三季度的营收和利润环比增长率均超过50%，成为集团整体营收和利润增长的主要因素。
根据2023年6月30日的数据显示，长鑫科技及其子公司直接持有长鑫新桥和长鑫集电分别为30.68%和31.72%的股权。长鑫科技表示，已于8月采取措施增加对长鑫集电的注资，以提高持有权益比例。 球友会
此外，针对产品价格及市场前景，长鑫科技指出，第三季度整体产品价格随行业趋势稳步上升，企业级产品价格涨幅相对理想，而消费级产品价格的增长速度相对较慢。公司在产品定价方面遵循行业的基本逻辑，与海外厂商的价格相差不大。
综上所述，长鑫科技预计，第四季度DRAM市场将继续呈现供不应求的态势，公司营收也将保持增长的趋势，并预测明年的营收将持续攀升。研究表明，技术突破与市场需求将共同驱动长鑫科技的未来发展。
